显著降低延迟。存通相比上一代HBM3能效提升约20%。过英工作此举将打破SK海力士在HBM市场的伟达垄断格局，认证 来源：三星官方新闻 三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的加速认证测试，该产品采用12层堆叠设计，负载三星表示，部署通过优化热管理工艺和先进的存通硅通孔技术，为全球AI芯片供应链提供更多选择。过英工作HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，伟达单颗容量达36GB，认证数据传输速率高达9.6Gbps，加速将用于下一代AI加速器的负载关键内存栈。目前三星已开始向英伟达批量供货，部署业内分析认为，存通预计下半年搭载于H200及后续GPU中。